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[发明专利]纳米复合物有机自旋阀-CN200910231498.1无效
发明人：韩圣浩;林亮;庞智勇;王丰功;方少杰 -专利权人：山东大学
申请日： 2009-12-15 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： H01F10/32 文献下载
摘要：纳米复合物有机自旋阀，属于自旋电子学技术领域。该自旋阀由三明治结构构成，顶电极是带有铝薄膜作保护层的过渡金属钴薄膜，底电极是镧锶锰氧薄膜，中间传输层是过渡金属钴与有机小分子八羟基喹啉铝的纳米复合物。该自旋阀的制备方法如下：用激光脉冲沉积方法在钛酸锶衬底上制备自旋阀的镧锶锰氧薄膜底电极；热蒸发制备过渡金属钴与八羟基喹啉铝的有机纳米复合物中间传输层；在有机纳米复合物中间传输层上制备一个过渡金属钴薄膜作为顶电极；在过渡金属钴薄膜顶电极上加热蒸发铝薄膜作保护层。
纳米复合物有机自旋

[发明专利]一种具有合成反铁磁结构的自旋阀薄膜-CN201910718854.6在审
发明人：康洁;翁凯伦;王志强;窦爱玉;胡先意 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有合成反铁磁结构的自旋阀薄膜，涉及磁电子学技术领域，所述薄膜自底而上分别有衬底、缓冲层、复合自由层、非磁性隔离层、反铁磁钉扎层以及覆盖层，非磁性隔离层以及反铁磁钉扎层两层之间设置有合成反铁磁结构三层结构组成，合成反铁磁结构中的CoFe1厚度范围为1～3nm，CoFe2的厚度范围为1～3nm且反铁磁结构中的CoFe1与CoFe2两层厚度比为CoFe1：CoFe2＝1：1，本发明在具有合成反铁磁结构的自旋阀薄膜的基础上，对自旋阀薄膜的各层厚度比例进行进一步优化，得到的新的具有合成反铁磁结构的自旋阀薄膜相较于相同结构但未经优化的自旋阀薄膜磁的磁电阻率提高了2.2％以上，交换偏置场提高了500Oe以上。
反铁磁结构自旋阀薄膜合成反铁磁钉扎层非磁性隔离层两层复合自由层交换偏置场磁电阻率三层结构层厚度覆盖层厚度比缓冲层电子学衬底薄膜优化

[发明专利]一种可穿戴式人机交互手势信息采集系统-CN201811227289.5在审
发明人：丁红 -专利权人：杭州联芳科技有限公司
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： G06F3/01 文献下载
摘要：一种可穿戴式人机交互手势信息采集系统，其特征在于，信息采集系统包括自旋阀单元和薄膜磁场单元，通过自旋阀单元和薄膜磁场单元两个单元模块角度的偏移，从而产生变化的电阻，信息采集系统将变化的电阻信号传递到控制系统本发明的有益效果：可穿戴式人机交互手势信息采集系统的传感器为磁性薄膜，与柔性手套融为一体，通过磁场相对位置调节自旋阀的开启，从而实现对手势信号的表达。采用自旋阀薄膜作为手势控制结构，灵敏度高，采用褶皱薄膜设计，实现手套的任意弯曲，在提高灵敏度的同时，延长使用寿命。
人机交互采集系统可穿戴式手势信息信息采集系统自旋阀单元磁场单元手势控制灵敏度薄膜褶皱人机交互技术相对位置调节延长使用寿命自旋阀薄膜薄膜设计磁性薄膜单元模块电阻信号控制系统任意弯曲柔性手套自旋阀偏移传感器电阻手套磁场融为一体传递

[发明专利]一种制备双垂直自旋阀的方法及其结构-CN200410101847.5无效
发明人：于广华;姜勇;腾蛟;王立锦;张辉;朱逢吾 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2004-12-28 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：一种制备双垂直自旋阀的方法及其结构，采用玻璃或单晶硅基片，通过等离子体溅射、磁控溅射或者分子束外延生长手段制备而成的一种金属多层膜结构，然后通过照相平版印刷或电子束印刷、离子刻蚀的手段分别在金属多层膜的顶层和底层膜面制作出两个电极，使该自旋阀在工作时，信号电流的流动方向垂直于金属多层膜膜面。本发明的优点在于将电流垂直薄膜平面与磁各向异性易轴垂直薄膜面两个特征完美结合在一起大幅度的提高自旋阀的磁电阻效应；有效的改善了自旋阀的磁均匀性，使这种自旋阀材料加工到纳米级时，仍可保持单磁畴结构。
一种制备垂直自旋方法及其结构

[发明专利]一种降低自旋阀薄膜矫顽力的方法-CN200710179580.5无效
发明人：丁雷;滕蛟;于广华 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2007-12-14 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： C23C14/58 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用二次退火降低自旋阀薄膜矫顽力的方法，属于信息电子、功能材料领域。在磁控溅射仪中制备自旋阀薄膜，在真空退火炉中进行退火。退火顺序依次为在1000～3000Oe磁场下，在100～300℃温度下，保温0.5～3h后，降至室温；再在50～300Oe磁场下，在100～300℃温度下，保温0.5～3h；第一次退火时的磁场方向沿着自旋阀薄膜制备态时的易轴方向本发明的优点在于：利用两次退火，既提高了自旋阀薄膜在室温下的磁阻效应，又明显降低了薄膜的矫顽力。本发明对改进磁传感器的性能有重要的应用价值。
一种降低自旋薄膜矫顽力方法

[发明专利]一种垂直型-异域有机自旋电子器件的制备工艺和应用-CN201910271349.1有效
发明人：方梅;肖柱;李周;张桑箭;李浩 -专利权人：中南大学
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直型‑异域有机自旋电子器件的制备工艺和应用，属于自旋电子学领域，本发明结合了横向器件与纵向器件的优点，一方面通过横向注入自旋极化电流，自旋极化电流横向注入有机材料，避免垂直结构电学短路问题；另一方面纵向探测电子自旋，自旋扩散通道长度即为薄膜厚度，采用楔形有机薄膜，实现自旋扩散通道长度的纳米级连续可调，通过外加电场和磁场，多模式实现有机物中电子自旋的操控和利用。本发明垂直型‑异域有机自旋电子器件，可用于操控自旋扩散长度在纳米量级的材料中的电子自旋，在同一器件中多模式实现电子自旋的操控，能够实现有机自旋阀的磁阻效应、non‑local磁阻效应、自旋Hanle效应
一种垂直异域有机自旋电子器件制备工艺应用

[发明专利]一种可双轴拉伸自旋阀传感器及其制备方法和应用-CN202310262115.7在审
发明人：谢亚丽;李欣泽;杨华礼;朱小健;李润伟;刘慧媛;潘礼礼;胡海旭 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种可双轴拉伸自旋阀传感器的制备方法，包括以下步骤：S1：制备固化PDMS衬底；S2：在所述柔性衬底上覆盖带有正方形孔状阵列的金属掩模版；S3：在柔性衬底上沉积自旋阀薄膜；S4：更换电极掩模版，利用磁控溅射沉积一层铂至所述柔性衬底，随后刮涂液态金属作为导线和电极，制作得到可双轴拉伸自旋阀传感器。本发明还包括该可双轴拉伸自旋阀传感器及其应用。通过本发明的制备方法解决了自旋阀传感器的可拉伸性问题，得到了具有更优良的可拉伸性能的可双轴拉伸自旋阀传感器。
一种可双轴拉伸自旋传感器及其制备方法应用

[发明专利]一种光响应的自旋电子器件及其制备方法-CN201910389022.4有效
发明人：金立川;朱虹宇;贾侃成;何昱杰;唐晓莉;钟智勇;张怀武 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-05-10 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L43/04 文献下载
摘要：一种光响应的自旋电子器件及其制备方法，属于自旋电子功能器件技术领域。所述光响应的自旋电子器件，包括衬底，以及依次形成于衬底之上的磁性薄膜、半导体薄膜和重金属电极。本发明自旋电子器件，基于“磁性薄膜/半导体薄膜/重金属电极”异质结构，通过在磁性薄膜与重金属电极之间增加半导体光响应层，使自旋电子器件中的自旋流输运过程具备响应外界光照作用的能力。当光照射自旋电子器件时，会在半导体薄膜中产生光生载流子，改变“磁性薄膜/半导体薄膜/重金属电极”界面阻抗匹配，实现对自旋流从磁性层向半导体薄膜注入效率的调节；同时，光生载流子浓度影响自旋扩散长度，改变逆自旋霍尔电压信号，实现逆自旋霍尔电压对光照强度的检测。
一种响应自旋电子器件及其制备方法

[发明专利]一种制备FePt赝自旋阀材料的方法-CN201610525029.0有效
发明人：冯春;唐晓磊;尹建娟;蒋旭敏;于广华 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2016-07-05 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01F41/18 文献下载
摘要：一种制备FePt赝自旋阀材料的方法，属于磁性材料或自旋电子学材料领域。本发明对铜锌铝Cu‑Zn‑Al记忆合金基片进行预拉伸处理、表面酸化去氧化皮处理以及表面抛光处理；然后，在上述Cu‑Zn‑Al基片上沉积薄膜材料，结构为铁铂FePt/钌Ru/铁铂FePt/钽Ta；沉积完毕后最后，对上述薄膜体系进行光刻处理，以获得纳米柱状阵列结构，引出电极。通过控制温度，控制薄膜体系的应力状态，进而实现高电阻状态和低电阻状态的切换，即赝自旋阀功能。本发明具有制备简单、控制方便的特点；不需要高成本的稀有金属或昂贵的附加装置，因此具有效率高、成本低等优点，适合应用于未来自旋电子学技术中。
一种制备 fept 自旋材料方法

[发明专利]一种双交换偏置场型自旋阀的制备方法-CN201019087050.7无效
发明人：唐晓莉;张怀武;荆玉兰;苏桦;钟智勇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2010-04-14 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：一种双交换偏置场型自旋阀的制备方法，属于磁性材料与元器件技术领域。首先采用薄膜沉积工艺并在外磁场作用下，制备双交换偏置场型自旋阀，其中交换偏置场大小不同，方向相同；然后通过振动样品磁场强度测试计测两个交换偏置场的大小；最后施加介于两个交换偏置场之间大小、方向相反的外磁场，同时在形成较小交换偏置场的铁磁层膜面沿交换偏置场方向施加脉冲电流；根据所施加的外磁场H和脉冲电流的大小的不同，即可改较小的偏置场的大小和方向，从而获得不同的双交换偏置场型自旋阀。本发明利用自旋转移效应来调制双交换偏置场型自旋阀中较小的交换偏置场的大小和方向，简化了制备步骤，增加了该种双交换偏置自旋阀应用的灵活性。
一种交换偏置自旋制备方法

[发明专利]一种测量磁性多层膜自旋阀自旋塞贝克系数的方法-CN202011614618.9在审
发明人：杨杭福;黄霞妮;吴琼;泮敏翔;葛洪良 -专利权人：杨方宗
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： G01N25/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量磁性多层膜自旋阀自旋塞贝克系数的方法，包括以下步骤：在磁性多层膜自旋阀样品表面镀一层Al薄膜作为激发层，以飞秒激光作为测量光源，激光脉冲打在Al激发层，测量自旋阀在反平行态（AP）的电压(VAP)与平行态时(P)的电压(VP)；通过仿真软件，利用有限元法模拟激光在样品中的热传导过程，计算得到自旋阀上下表面的温度差Sub>AP‑VP)/ΔTsv，计算得到自旋相关的塞贝克系数
一种测量磁性多层自旋旋塞贝克系数方法

[发明专利]一种可穿戴设备智能控制系统-CN201811227260.7在审
发明人：丁红 -专利权人：杭州联芳科技有限公司
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： G06F3/01 文献下载
摘要：一种可穿戴设备智能控制系统，其特征在于，自旋阀单元和薄膜磁场单元是一种磁性薄膜，分别嵌套封装在不同位置的柔性基底上，自旋阀单元和薄膜磁场单元位置相对，通过两个单元的相对位置变化，产生变化的电阻。
智能控制系统可穿戴设备自旋阀单元磁场单元薄膜人机交互技术相对位置变化嵌套磁性薄膜控制信息柔性基底输入手段位置相对传统的电阻封装手掌

[发明专利]一种用于中子自旋翻转器的多层中子薄膜自旋翻转元件及其制作方法-CN202210840993.8在审
发明人：张众;何佳莲;伊圣振;王占山;黄秋实 -专利权人：同济大学
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G21K1/16 文献下载
摘要：本发明提供一种用于中子自旋翻转器的多层中子薄膜自旋翻转元件及其制作方法，一种用于中子自旋翻转器的多层中子薄膜自旋翻转元件包括双面抛光的超光滑硅片基底、多层铁硅合金薄膜层和多层铬薄膜层，多层铁硅合金薄膜层与多层铬薄膜层依次交替沉积于超光滑硅片基底表面，多层中子薄膜自旋翻转元件的顶层为铬薄膜层；多层中子薄膜自旋翻转元件的制备方法中，铁硅合金薄膜层及铬薄膜层的制备工艺都为磁控溅射，本发明主要以铁硅合金薄膜层为主，采用铬薄膜层作为插层的方法提升薄膜的饱和磁感应强度，使薄膜的饱和磁感应强度超过了1T，铬薄膜层可以有效调控铁硅合金薄膜层的微观结构，促进合理晶面的生长，抑制不需要晶面的生长。
一种用于中子自旋翻转多层薄膜元件及其制作方法

[发明专利]一种基于自旋塞贝克效应的热电转换器件结构-CN201710548329.5有效
发明人：胡少杰;田祎龙;闵泰 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2017-07-06 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L35/26 文献下载
摘要：本发明公开一种基于自旋塞贝克效应的热电转换器件结构，包括基本U型结构；基本U型结构包括由下至上或者由上至下依次设置的第一磁性层、电极层和第二磁性层；第一磁性层由第一正自旋塞贝克系数磁性薄膜和第一负自旋塞贝克系数的磁性薄膜连接构成；第二磁性层由第二正自旋塞贝克系数磁性薄膜和第二负自旋塞贝克系数的磁性薄膜连接构成；第一正自旋塞贝克系数磁性薄膜和第二正自旋塞贝克系数磁性薄膜位于基本U型结构的左臂；第一负自旋塞贝克系数的磁性薄膜和第二负自旋塞贝克系数的磁性薄膜位于基本U型结构左右两部分的磁性层由自旋塞贝克系数异号的材料组成，可分别在电极层中产生不同方向的电势差并实现电势差串联叠加效果。
一种基于旋塞贝克效应热电转换器件结构

[发明专利]一种自偏置的自旋波波导及其制备方法-CN201610770300.7有效
发明人：钟智勇;张怀武;金立川;文天龙;廖宇龙;唐晓莉;苏桦 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01P3/12 文献下载
摘要：一种自偏置的自旋波波导及其制备方法，属于自旋波器件技术领域。包括基片，依次形成于基片之上的永磁薄膜、绝缘介质薄膜、软磁薄膜和保护层形成的多层薄膜结构，所述多层薄膜结构在垂直于膜面的磁场中饱和磁化后，采用单极磁头的写入磁场局域翻转永磁薄膜的磁化方向，即可形成自偏置的自旋波波导本发明采用垂直各向异性的永磁薄膜与软磁薄膜形成交换‑弹性结构，由于永磁薄膜上下磁畴形成的磁通使软磁薄膜中的磁矩沿磁通方向整齐排布，这样，在没有偏置磁场的情况下就能形成自旋波波导，实现了自旋波波导的自偏置；其自偏置场的大小可通过永磁材料的种类及厚度调节，有利于实现集成化的自旋波波导，为集成自旋波器件的应用打下了基础。
一种偏置自旋波导及其制备方法

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